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Co-Si多层膜在稳态热退火中的固相界面反应

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来源 半导体学报 ,1993,14(10):612 【核心库】
地址

中科院半导体所, 表面物理国家重点实验室, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 物理学;电子技术、通信技术
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:199089

参考文献 共 5 共1页

1.  许振嘉. 半导体器件研究与进展.2,1990 被引 2    
2.  陈维德. Co与Si和SiO1@2@在快速热退火中的反应. 半导体学报,1990,11(11):859 被引 4    
3.  张世表. 真空科学和技术,1990,10(2):104 被引 2    
4.  Tu K N. J Appl Phys,1982,53:4406 被引 3    
5.  顾诠. 半导体学报 被引 1    
引证文献 1

1 屈新萍 用于自对准提升硅化物结构的Co/Si/Ti/Si及Co/Si/…Ti/Si多层薄膜固相反应研究 半导体学报,2000,21(2):197
被引 1

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