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Si/Co/GaAs体系中界面反应的竞争机制

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来源 半导体学报 ,1993,14(11):681 【核心库】
地址

中科院半导体所, 表面物理国家重点实验室, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 物理学;电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:199066

参考文献 共 6 共1页

1.  Hsu C. J Vac Sci Technol A,1992,10:1020 被引 1    
2.  Li Bingzong. J Appl Phys,1991,70:5427 被引 2    
3.  Tang R T. Appl Phys Lett,1982,40:684 被引 1    
4.  Chen L J. Thin Solid Film,1982,93:1351 被引 1    
5.  Xu F. Phys Rev,1987,35:2375 被引 2    
6.  陈维德. J Appl Phys,1991,69:7612 被引 1    
引证文献 1

1 金高龙 CoSi↓2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅材料 半导体学报,1994,15(8):518
被引 0 次

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