帮助 关于我们

返回检索结果

低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析

查看参考文献4篇

来源 半导体学报 ,1993,14(6):345 【核心库】
地址

中科院半导体所, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 物理学;电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:199051

参考文献 共 4 共1页

1.  Wang T Y. J Appl Phys,1988,63:2674 被引 3 次    
2.  Tsang W T. Appl Phys Lett,1986,49:220 被引 4 次    
3.  朱龙德. 半导体学报,1993,14(4) 被引 1 次    
4.  徐强. 半导体学报,1990,11(6):404 被引 1 次    
引证文献 1 篇

1 高瑛 In↓（0.6）Ga↓（0.4）As/InP应变量子阱的光致发光 半导体学报,1995,16(5):344
被引 0 次

显示所有1篇文献

论文科学数据集
PlumX Metrics
相关文献

 作者相关
 关键词相关
 参考文献相关

版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护：中国科学院文献情报中心
地址：北京中关村北四环西路33号 邮政编码：100190 联系电话：(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号