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在微晶硅薄膜中替代式硼杂质的非受主态行为

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蒋翔六 1   何宇亮 2   朱洪亮 3  
来源 半导体学报 ,1993,14(11):664 【核心库】
地址

1. 北京市科学技术研究院, 北京  

2. 北京航空航天大学, 北京  

3. 中科院半导体所, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 物理学;电子技术、通信技术
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:198975

参考文献 共 4 共1页

1.  何宇亮. J Non-Cryst Solids,1983,59:831 被引 1    
2.  蒋翔六. ,1983 被引 1    
3.  何宇亮. 纳米硅薄膜的研制. 中国科学.A,1992(10):995 被引 46    
4.  何宇亮. 非晶态半导体物理学,1991 被引 3    
引证文献 2

1 王金良 掺杂纳米硅薄膜的生长特性 北京航空航天大学学报,2002,28(2):181-185
被引 1

2 韦文生 氢化纳米硅薄膜光电性质及其应用研究进展 材料导报,2002,16(2):37-39
被引 0 次

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