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Passive Q-switching of diode-pumped Yb:YAG microchip laser with ion-implanted GaAs

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文摘 We reported a passive Q-switched diode laser pumped Yb:YAG microchip laser with an ion-implanted semi-insulating GaAs wafer. The wafer was implanted with 400-keV As^(+) in the concentration of 10^(16) ions/cm^(2). To decrease the non-saturable loss, we annealed the ion-implanted GaAs at 500 oC for 5 minutes and coated both sides of the ion-implanted GaAs with antireflection (AR) and highreflection (HR) films, respectively. Using GaAs wafer as an absorber and an output coupler, we obtained 52-ns pulse duration of single pulse.
来源 Chinese Optics Letters ,2004,2(1):31-33 【核心库】
地址

1. Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, 北京, 100832  

2. Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, 北京, 100080

语种 英文
文献类型 研究性论文
ISSN 1671-7694
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:1845000

参考文献 共 8 共1页

1.  D Y Shen. Commun. Opt. Commun,2002,211:271 被引 8 次    
2.  P Li. D. Acta Opt. Sin. (in Chinese),2000,20:744 被引 6 次    
3.  P Li. Multi-watt Q-switched Nd:YVO4 laser with GaAs output coupler. Chin. Opt. Lett.,2003,1:31 被引 4 次    
4.  J H Gu. L. Opt. Commun.,1999,165:245 被引 9 次    
5.  Y Tsou. Birnbaum. Opt. Lett.,1993,18:1514 被引 7 次    
6.  T T Kajava. Lett. Opt. Lett.,1996,21:1244 被引 39 次    
7.  T Zhou. Sin. Acta Opt. Sin. (in Chinese),2003,23:455 被引 4 次    
8.  H S Wu. Liu. Chin. J. Lasers (in Chinese),2003,30:97 被引 2 次    
引证文献 3 篇

1 李文雪 LD抽运新型Yb：LYSO晶体实现1085nm激光输出 中国激光,2005,32(11):1591-1592
被引 0 次

2 李隆 高功率Yb:YAG微片激光器热效应研究 激光技术,2010,34(1):8-12
被引 0 次

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