等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼
Boron-doped silicon nanowires grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition
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文摘
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用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B.选用Si片作衬底,硅烷(SiH4)作硅源,硼烷(B2H6)作掺杂气体, Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活,更容易实现纳米线掺杂,进一步有望生长硅纳米线pn结,为研制纳米量级器件提供技术基础.…… |
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其他语种文摘
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Boron-doped ( B-doped) silicon nanowires have been successfully synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at 440c�using silane as the Si source, diborane(B2H6) as the dopant gas and Au as the catalyst. It is desirable to extend this technique to the growth of silicon nanowire pn junctions because PECVD enables immense chemical reactivity. |
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来源
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物理学报
,2004,53(12):4410-4413 【核心库】
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DOI
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10.7498/aps.53.4410
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关键词
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硅纳米线
;
化学气相沉积
;
纳米器件
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地址
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1.
中国科学院半导体研究所, 表面物理国家重点实验室, 北京, 100083
2.
清华大学物理系, 原子分子纳米科学教育部重点实验室, 北京, 100084
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1000-3290 |
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学科
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物理学 |
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基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:1810962
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参考文献 共
13
共1页
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1.
Morales A M.
Science,1998,279:208
|
被引
231
次
|
|
|
|
|
2.
Holms J D.
Science,2000,287:1471
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
3.
Yu D P.
Physica E,2001,9:305
|
被引
21
次
|
|
|
|
|
4.
Xing Y J. Investigation of the growth process of Si nanowires using the vapour-liquid-solid mechanism.
Chin. Phys.,2002,11:1047
|
被引
9
次
|
|
|
|
|
5.
Lew K K.
J. Vac. Sci. Technol. B,2002,20:389
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
6.
Bettotti P.
J. Phys.: Condens. Matter,2002,14:8253
|
被引
4
次
|
|
|
|
|
7.
Lieber C M.
Solid State Commun,1998,107:607
|
被引
31
次
|
|
|
|
|
8.
Cui Y.
J. Phys. Chem. B,2000,104:5213
|
被引
36
次
|
|
|
|
|
9.
Tang Y H.
Appl. Phys. Lett.,2001,79:1673
|
被引
18
次
|
|
|
|
|
10.
Zeng X B.
J. Cryst. Growth,2003,247:13
|
被引
13
次
|
|
|
|
|
11.
Wagner R S.
Appl. Phys. Lett.,1964,4:89
|
被引
212
次
|
|
|
|
|
12.
Westwater J.
J. Vac. Sci. Technol. B,1997,15:554
|
被引
15
次
|
|
|
|
|
13.
Moffatt W G.
The Handbook of Binary Phase Diagram,1978
|
被引
1
次
|
|
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