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CMOS运算放大器的辐照和退火行为
Radiating and Annealing on CMOS Operation Amplifier

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任迪远 1   陆妩 1   郭旗 1   余学锋 1   王明刚 2   胡浴红 2   赵文魁 2  
文摘 介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后,在不同偏置及不同退火温度下,运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律,分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因.结果显示,运放电路辐照后的退火行为与偏置及温度均有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的氧化物电荷和Si/SiO2界面态密度的增长与退火直接相关.
其他语种文摘 The behavior of the CMOS op-amps exposed to the ionizing radiation and annealing characteristic after irradiation in different biases and temperature are described. The tested characteristics include all electrical parameters of op-amps and inner transistor,and the current and voltage of the nodes of the subsidiary circuits. The change of radiation-induced oxide trapped charge and Si/SiO2 interface state density depends on the annealing biases and temperature in quite extent.
来源 半导体学报 ,2004,25(6):731-734 【核心库】
关键词 CMOS运算放大器 ; 电离辐射 ; 退火
地址

1. 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐, 830011  

2. 西安微电子技术研究所, 西安, 710054

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:1693414

参考文献 共 3 共1页

1.  陆妩. CMOS运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性. 核技术,1997,20(12):753 被引 8 次    
2.  陆妩. CMOS运算放大器的电子和^60Coγ辐照效应及退火特性. 固体电子学研究与进展,1998,18(3):323 被引 7 次    
3.  任迪远. MOSFET电离辐射感生跨导退化的简单模型. 半导体学报,1995,16(7):533 被引 7 次    
引证文献 4 篇

1 刘刚 应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性 辐射研究与辐射工艺学报,2006,24(4):201-204
被引 0 次

2 牛振红 SiGe HBT60Coγ射线辐照效应及退火特性 半导体学报,2006,27(9):1608-1611
被引 2 次

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