MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱和多量子阱激光器深能级研究

卢励吾 ¹ 周洁 ¹ 庄婉如 ² 梅野正义 ³

来源	半导体学报 ,1992,13(3):155 【核心库】
关键词	MOCVD生长 ; GaAlAs/GaAs单量子阱 ; 多量子阱
地址	1. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 2. 中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京 3. 日本名古屋工业大学, 日本
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	物理学
文献收藏号	CSCD:168666

参考文献共 2 共1页

	1. 高季林. 半导体光电,1981,2:121	被引 1 次
	2. 庄婉如. 硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器. 半导体学报,1989,10(12):960	被引 1 次

引证文献 8 篇

1 卢励吾分子束处延生长AlGaAs/GaAs GRINSCH SQW激光器中高温陷阱的研究物理学报,1993,42(1):66
被引 0 次

2 卢励吾分子束外延生长的赝配高电子迁移率晶体管结构中深能级的研究物理学报,1993,42(5):817
被引 2 次

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