低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器

肖建伟 ¹ 徐俊英 ¹ 杨国文 ¹ 徐遵图 ¹ 张敬明 ¹ 陈良惠 ¹ 周小川 ² 蒋健 ² 钟战天 ³

来源	半导体学报 ,1992,13(4):258 【核心库】
地址	1. 中科院半导体所, 集成光电子学联合国家重点实验室, 北京 2. 中科院物理所, 表面物理国家重点实验室, 北京 3. 中科院半导体所, 表面物理国家重点实验室, 北京
语种	中文
文献类型	简报
ISSN	0253-4177
学科	物理学
文献收藏号	CSCD:168658

参考文献共 3 共1页

	1. 肖建伟. ,1991	被引 1 次
	2. 张敬明. AlGaAs/GaAs-MQW激光器光增益谱理论和实验. 半导体学报,1992,13(2):67	被引 6 次
	3. Chen T R. J Ouantum Electron,1990,26:1183	被引 1 次

引证文献 1 篇

1 卢励吾 InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为半导体学报,1996,17(7):493
被引 0 次

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