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弹性应变及结构参数对InAs/GaAs应变层超晶格能带结构的影响

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毕文刚 1   李爱珍 2  
来源 半导体学报 ,1992,13(6):359 【核心库】
关键词 弹性应变 ; 结构参数 ; InAs/GaAs应变层 ; 超晶格
地址

1. 中科院上海冶金所, 上海  

2. 中科院半导体所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:168625

参考文献 共 0

引证文献 3

1 崔敬忠 LP-MOCVD生长InGaAs/GaAs应变超晶格 兰州大学学报. 自然科学版,1994,30(3):163
被引 0 次

2 于广友 低压-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量阱 发光学报,1997,18(2):95
被引 0 次

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