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文摘
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采用钨丝掩模技术,通过调整制作过程中的工艺参数,研制出批量器件阈值在2mA以内,最低阈值为1.25mA的850nm垂直腔面发射激光器.同时对TO封装的器件进行了高频特性测试,结果表明3dB带宽最高为4.0GHz,在应用于光通信收发模块的商品化同类器件中处于较好的水平,适合中、高速光通信应用. |
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其他语种文摘
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By optimizing the technology parameters, 850nm vertical cavity surface emitting laser is fabricated by large inclined angle implantation using tungsten as mask, which is continuous operating at room temperature. The threshold current is low-est to 1. 25mA. The light output power is about 0. 92mW. The modulation performance of the device in TO package indicated that the - 3dB bandwidth is 4.0GHz, which can be applied in middle and high-speed optical communication. |
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来源
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半导体学报
,2004,25(9):1143-1147 【核心库】
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关键词
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钨丝掩模
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垂直腔面发射激光器
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高频特性
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地址
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1.
吉林大学电子科学与工程学院, 集成光电子学国家重点实验室, 长春, 130023
2.
中国科学院半导体研究所, 集成光电子学国家重点实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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0253-4177 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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基金
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国家自然科学基金资助项目
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文献收藏号
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CSCD:1608490
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1.
王海嵩. 基于垂直腔面发射激光器的收发模块研究进展.
半导体光电,2002,23(3):145
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2.
黄章勇. 光纤通信用光电子器件和组件.
光纤通信用光电子器件和组件,2001:89
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3.
伊贺健一. 面发射激光器基础与应用.
面发射激光器基础与应用,2002:178
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4.
Liu Ying. High efficiency top surface-emitting lasers fabricated by four implantation using tungsten wire as mask.
Appl Phys Lett,1995,57(24):3549
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5.
Liu Ying. Vertical-cavity surface-emittinglaser fabricated by two implantations using tungsten wires as mask.
Optical and Quantum Electronics,1996,28:1781
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6.
刘颖. 室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器.
半导体学报,1995,16(12):951
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2
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