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高补偿硅的阻-温特性
Highly Compensated Si: Resistivity-temperature Characteristic

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文摘 采用5Ω·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅.笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104Ω·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K).测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质.
其他语种文摘 Highly compensated Si was acquired by diffiusing Mn-metal into p-type silicon crystal of 5￡2 ? cm at high temperature. The relation between resistivity and temperature (temperature increases from 77 K to 300 K) was investigated with samples of 5.84 X 104fi ? cm, at room temperature. The results show that when the samples are in darkness, it behaves as common semiconductors; when the samples exposed to light, it behaves quite differently. That may caused by the fact that the material is sensitive to light and doped impurity of Mn lies on deep level.
来源 电子元件与材料 ,2004,23(4):19-21 【扩展库】
关键词 高补偿硅 ; 光敏 ; 深能级
地址

1. 中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆, 乌鲁木齐, 830011  

2. 塔什干国立技术大学

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1001-2028
学科 电子技术、通信技术
基金 国家外国专家局项目 ;  中国科学院西部之光人才培养计划
文献收藏号 CSCD:1602107

参考文献 共 5 共1页

1.  Wang X. Hall effect and dielectric properties of Mn-doped barium titanate [J]. Microelectron Eng,2003,66(1/4):855-859 被引 8 次    
2.  Lee K P. Magnetic effects of direct ion implantation of Mn and Fe into P-GaN [J]. J Electron Mater,2002,31(5):411-415 被引 3 次    
3.  徐乐(译). a. 半导体物理学,1980:67 被引 1 次    
4.  Sze S M. a. Physics of Semiconductor Devices,1993:832 被引 2 次    
5.  刘恩科. a. 半导体物理学,1998 被引 27 次    
引证文献 4 篇

1 蔡志军 深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性 半导体学报,2005,26(6):1140-1143
被引 5 次

2 崔志明 高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究 电子元件与材料,2006,25(3):53-55
被引 0 次

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