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VCSEL稳态热特性分析
Analysis of Stable Heat Characteristcs in VCSEL

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赵鼎林世鸣

文摘	使用数值方法对氧化层限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)内部稳态热场分布进行了计算,结果显示其分布形式取决于DBR区热导率及其与高阻限制层热导率的差异,并指出在限制层孔径变化及外加电极电压变化时对热场分布的影响;器件中温度最高的部分处于中心氧化限制层附近.有源层中温度沿径向的分布情况表明,在氧化限制孔径下方形成明显的温度台阶是导致器件有源层中产生折射率台阶的主要原因.
其他语种文摘	Stable heat field distribution in dielectric apertured vertical-cavity surface-emitting laser( VCSEL) was analyzed by using numerical calculation. The results show that the variation of heat field distribution is mostly affected by the thermal conductive ability of DBR region and the difference of thermal conductive ability of DBR region and dielectric confinement layer,the highest temperature center is near dielectric aperture of VCSEL,and the temperature distribution along active layer appears evidence temperature step (plateau just below the dielectric aperature) which helps to form the refractive index step in active layer.
来源	光电子·激光 ,2004,15(1):21-24 【核心库】
关键词	垂直腔面发射激光器(VCSEL) ; 热场分布 ; 稳态
地址	中国科学院半导体研究所, 集成光电子学国家重点实验室, 北京, 100083
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	1005-0086
学科	电子技术、通信技术
基金	国家自然科学基金资助项目
文献收藏号	CSCD:1570514

参考文献共 4 共1页

	1. Zhao Y G. Transient temperature response of vertical-cavity surface-emitting semiconductor lasers[J]. IEEE Journal of Quantum Electronics,1995,31(9):1668	被引 13 次
	2. W Nakwaski. Thermal properties of etchedwell surface-emitting semiconductor lasers[J]. IEEE Journal of Quantum Electronics,1991,27(6):1391	被引 10 次
	3. Zhao Ding. Research on calculation method of self-consistent distribution of voltage and carrier density in VCSEL[J]. Chinese Journal of Semiconductor (will be published, in Chinese)	被引 1 次
	4. 俞昌铭. 热传导及其数值分析[M]. 热传导及其数值分析,1981	被引 50 次

引证文献 3 篇

1 侯识华垂直腔面发射激光器的热学特性半导体学报,2005,26(4):805-811
被引 3 次

2 侯识华键合界面阻抗对VCSEL的电、热学特性的影响光子学报,2005,34(4):503-506
被引 1 次

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