变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究
Electron transport properties of MM-HEMT with varied channel indium contents
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文摘
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在变缓冲层高迁移率晶体管(MM-HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM-HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能. |
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其他语种文摘
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Transport properties of two-dimensional electron gas (2DEG) are crucial to metamorphic high-electron-mobility transistors (MM-HEMT). We have investigated the variations of subband electron mobility and concentration versus temperature from Shubnikov-de Hass oscillations and variable temperature Hall measurements. The results indicate that the electrical performance is the best when the In content is 0.65 in the channel for MM-HEMT. When the In content exceeds 0.65, a large lattice mismatch will cause dislocations and result in the decrease of mobility and the fall of performance in materials and devices. |
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来源
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物理学报
,2003,52(11):2879-2882 【核心库】
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DOI
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10.7498/aps.52.2879
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关键词
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变缓冲层高迁移率晶体管
;
Shubnikov-de Hass 振荡
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地址
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1.
中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海, 200083
2.
中国科学院半导体研究所, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1000-3290 |
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学科
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物理学 |
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基金
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国家973计划
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文献收藏号
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CSCD:1496591
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参考文献 共
14
共1页
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