GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究
Study of optical properties in GaAs1-xSbx/GaAs single quantum wells
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文摘
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用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb/GaAs单量子阱的光学性质,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类)和间接(Ⅱ类)跃迁.它们表现出不同的特性:Ⅰ类跃迁具有局域化特性,其发光能量不随激发光能量而变;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移,也随激发光能量的增加而蓝移,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释,这也是空间间接跃迁的典型特性.还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb/GaAs能带排列的Ⅱ类特性,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb/GaAs异质结的带阶系数. |
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其他语种文摘
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GaAsSb/GaAs single quantum wells (SQWs) grown by molecular beam epitaxy are studied by selectively-excited photolumi-nescence (SEPL) measurement. For the first time, we have simultaneously observed the PL from both type I and type II tran-sitions in GaAsSb/GaAs heterostructure in the SEPL. The two transitions exhibit different PL behaviours under different excitation energy. As expected, the peak energy of type I emission remains constant in the whole excitation energy range we used, while type II transition shows a significant blue shift with increasing excitation energy. The observed blue shift is well explained in terms of electron-hole charge separation model at the interface. Time-resolved(TR) PL exhibits more type II characteristic of GaAsSb/GaAs QW. Moreover, the results of the excitation-power-dependent PL and TRPL provide more direct information on the type- II nature of the band alignment in GaAsSb/GaAs quantum-well structures. By combining the experimental results with some simple calculations, we have obtained the strained and unstrained valence band offsets of Q_v = 1.145 and Q~°_v = 0.76 in our sam-ples, respectively. |
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来源
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物理学报
,2003,52(7):1761-1765 【核心库】
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DOI
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10.7498/aps.52.1761
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关键词
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GaAsSb/GaAs
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选择激发
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Ⅱ类跃迁
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地址
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1.
中国科学院半导体研究所, 超晶格国家重点实验室, 北京, 100083
2.
香港科技大学物理系, 香港
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1000-3290 |
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学科
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物理学 |
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基金
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国家973计划
;
国家自然科学基金
;
中国科学院纳米科学与技术项目
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文献收藏号
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CSCD:1496349
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参考文献 共
15
共1页
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