掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究
RBS/channeling study and photoluminscence properties of Er-implanted GaN
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文摘
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采用背散射(RBS)/沟道(channeling)分析和傅里叶变换红外光谱(FT-IR)研究了掺铒GaN薄膜的晶体结构和光致发光(PL)特性.背散射/沟道分析结果表明:随退火温度的升高,薄膜中辐照损伤减少;但当退火温度达到1000℃,薄膜中的缺陷又明显增加.Er浓度随注入深度呈现高斯分布.通过沿GaN的<0001>轴方向的沟道分析,对于900℃,30min退火的GaN:Er样品,Er在晶格中的替位率约76%.光谱研究表明:随退火温度的升高,室温下样品的红外PL峰强度增加;但是当退火温度达到1000℃,样品的PL峰强度明显下降;测量温度从15K变化到300K时,样品(900℃,30min退火的GaN:Er)的1540nm处PL温度猝灭为30%. |
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其他语种文摘
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The Raman back scattering/channeling technique was used to analyze the damage recovery at different annealing tempera-tures and to determine the lattice location of the Er-implanted GaN samples. A better damage recovery was observed with increas-ing annealing temperature below lOOO℃, but a complete recovery of the implantation damage cannot be achieved. For a sample annealed for at 900°C 30 min the Er and Ga angular scans across the < 0001 > axis was measured, indicating that about 76% of Er ions occupies substitutional sites. Moreover, the photoluminscence (PL) properties of Er-implanted GaN thin films have been also studied. The experimental results indicate that those samples annealed at a higher temperature below lOOO℃ had a stronger 1539nm PL intensity. The thermal quenching of PL intensity for samples annealed at 900℃, measured at temperatures from 15K to 300K is 30% . |
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来源
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物理学报
,2003,52(10):2558-2562 【核心库】
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DOI
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10.7498/aps.52.2558
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关键词
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GaN
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Er
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离子束分析
;
光致发光
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地址
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1.
中国科学院半导体研究所, 北京, 100083
2.
北京大学技术物理系, 北京, 100080
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1000-3290 |
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学科
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物理学 |
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基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:1496207
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参考文献 共
14
共1页
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