帮助 关于我们

返回检索结果

一种新型垂直外腔面发射半导体激光器
A Kind of Novel and Excellent Semiconductor Vertical External Cavity Surface Emission Laser

查看参考文献3篇

王勇刚 1   马骁宇 1   江李 1   张志刚 2  
文摘 概述了近几年国外发展起来的一种新型半导体激光器光源:垂直外腔面发射激光器,详细介绍了它在光束质量方面的优点,研制方法以及工艺上的特点.
其他语种文摘 A novel excellent type of semiconductor laser is summarized: vertical external surface emission laser. Its ad-vantages in quality of light, the method of manufacture and the character of technics are introduced particularly.
来源 激光与红外 ,2003,33(6):406-408 【扩展库】
关键词 垂直外腔面发射激光器 ; 倍频 ; 锁模
地址

1. 中科院半导体所, 国家光电子器件工程研究中心, 北京, 100083  

2. 北京工业大学激光工程学院, 北京, 100022

语种 中文
文献类型 综述型
ISSN 1001-5078
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:1495314

参考文献 共 3 共1页

1.  Keller U. an A-FPSA[J]. Opt. Lett.,1992,17(7):505-507 被引 79 次    
2.  Garnache A. Sub-500-fs soliton-like pulse in a passively mode-locked broadband surface-emitting laser with 100mW average power[J]. Applied Physics Letters,2002,80(21):3892-3894 被引 9 次    
3.  Hoogland S. Passively Mode-Locked Diode-Pumped Surface-Emitting Semiconductor Laser[J]. IEEE Photonics Technology Letters,2000,12(9):1135-1137 被引 16 次    
引证文献 1 篇

1 何春凤 高功率980 nm垂直外腔面发射激光器(VECSEL)的理论研究 光学精密工程,2005,13(3):247-252
被引 3 次

显示所有1篇文献

论文科学数据集
PlumX Metrics
相关文献

 作者相关
 关键词相关
 参考文献相关

版权所有 ©2008 中国科学院文献情报中心 制作维护：中国科学院文献情报中心
地址：北京中关村北四环西路33号 邮政编码：100190 联系电话：(010)82627496 E-mail:cscd@mail.las.ac.cn 京ICP备05002861号-4 | 京公网安备11010802043238号