三势垒隧穿结构中由外加垂直磁场引入的高子带非热占据
Magnetic-field-induced Nonthermal Occupation of Higher Subbands in a Three-barrier Tunneling Structure
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文摘
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在一个特殊设计的三垒双阱异质结构中,注入到入射端量子阱中的电子,首先经过子带间弛豫填充到较低能级,紧接着通过共振隧穿逃逸出后面的双势垒结构,流入收集电极,完成了整个输运过程.通过比较带间光荧光谱中E_2 -HH_1与E_1-HH_1两峰的强度,我们发现外加垂直磁场可以抑制子带间的LO声子和LA声子散射,使能量较高的子带上出现了明显的非热平衡占据.这一发现提供了一种新的控制子带间散射速率(量子级联激光器的主要机制)的有效方法,使得在量子阱子带间实现粒子数反转变得更加容易. |
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其他语种文摘
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When injected electrons in a quantum well first experience an intersubband relaxation process before their escaping by tun-neling through a double-barrier structure behind, the magnetic suppression of intersubband LO or LA phonon scattering can give rise to a noticeable nonthermal occupation in higher-lying subbands. That is clearly verified by the relative intensity ratio of the interband pho-toluminescence spectra for E_2 -HH_1 and E_1 -HH_1 transitions. The observed phenomenon may provide an effective method for controlling intersubband scattering rate, a central issue in so-called quantum cascade lasers, and facilitating the population inversion between subba-nds in quantum wells. |
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来源
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光谱学与光谱分析
,2003,23(3):470-473 【核心库】
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关键词
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共振隧穿
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非热平衡占据
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子带间弛豫
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地址
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中国科学院半导体研究所, 超晶格与微结构国家重点实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1000-0593 |
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学科
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物理学 |
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基金
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国家973计划
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文献收藏号
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CSCD:1488249
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参考文献 共
15
共1页
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