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硅的钴溅射引进深能级的研究

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卢励吾 1   Groeseneken G 2   Maex K 2  
来源 电子学报 ,1991,19(1):113 【核心库】
关键词 硅 ; 钴溅射 ; 深能级 ; n型硅 ; p型硅
地址

1. 中科院半导体所, 北京  

2. 比利时IMEC, 比利时

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0372-2112
学科 物理学
文献收藏号 CSCD:143991

参考文献 共 3 共1页

1.  Chen J W. Ann Rev Mater Sci,1980,10:157 被引 4 次    
2.  卢励吾. Mater Sci Forum,1989,38:141 被引 1 次    
3.  Yau L D. Appl Phys Lett,1972,21:157 被引 1 次    
引证文献 1 篇

1 李秀琼 钛在硅浅结互连中引进深能级的研究 半导体学报,1993,14(2):83
被引 0 次

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