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GaInAs/AlInAs多量子阱结构光学性质的研究

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江德生 1   李锋 1   张永航 2   Ploog K 2  
来源 半导体学报 ,1991,12(3):136 【核心库】
地址

1. 中科院半导体所, 北京  

2. 德国马普固体所, 德国

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:140133

参考文献 共 4 共1页

1.  Hong W P. Appl Phys Lett,1987,50:618 被引 1 次    
2.  黄昆. 物理,1987,15:329 被引 1 次    
3.  夏建白. 半导体学报,1987,8:563 被引 6 次    
4.  Chen Y S. J Appl Phys,1981,52:7392 被引 1 次    
引证文献 3 篇

1 俞谦 InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应研究 物理学报,1996,45(2):274
被引 0 次

2 江德生 GaInAs/AlInAs调制掺杂结构材料的光学性质研究 固体电子学研究与进展,1996,16(2):121
被引 0 次

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