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Cr/GaAs界面的反应特性及电子性质的研究

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金高龙 ¹ 陈维德 ¹ 许振嘉 ²

来源	半导体学报 ,1991,12(5):265 【核心库】
地址	1. 中科院半导体所, 北京 2. 中国科学技术大学, 安徽, 合肥
语种	中文
文献类型	研究性论文
ISSN	0253-4177
学科	电子技术、通信技术
文献收藏号	CSCD:140129

参考文献共 2 共1页

	1. Hsu C C. Vacuum,1990,41:690	被引 1 次
	2. 丁孙安. 铬硅化物的形成及其界面反应. 半导体学报,1990,11:906	被引 1 次

引证文献 1 篇

1 张发培 Cr/GaAs（100）界面形成和界面反应的SRPES研究半导体学报,1998,19(5):348
被引 0 次

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