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中科院半导体所, 北京
参考文献 共 2 共1页
1 闫发旺 高面指数GaAs衬底上自组织生长应变In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs量子线阵列 半导体技术,2001(10):74 被引 0 次
2 张文俊 MBE自组织方法生长InGaAs/AlGaAs量子线FET材料 固体电子学研究与进展,2002,22(2):223-226 被引 0 次
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