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刻槽硅衬底上的GaAs/AlGaAs超晶格衬材料的微结构特性

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来源 半导体学报 ,1991,12(7):412 【核心库】
地址

中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:140105

参考文献 共 2 共1页

1.  Tsai H L. Appl Phys Lett,1990,57:288 被引 1    
2.  邢益荣. 半导体学报,1986,7(1):106 被引 4    
引证文献 1

1 邢益荣 Si(113)表面原子结构的低能电子衍射研究 物理学报,1992,41(11):1806
被引 0 次

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