文摘
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用MBE生长设备制造了GaAs/Si/AlAs异质结,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应。 |
其他语种文摘
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GaAs/Si/AlAs heterojunctions prepared by MBE are examined. The conduction band-discontinuity and the profile of 0.5 monolayer Si interlayer at different growth temperature are investigated by CV technique. The results reveal that the spatial distributions of Si interlayer become dispersed with increasing temperature. |
来源
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北京师范大学学报. 自然科学版
,2002,38(4):474-477 【核心库】
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关键词
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GaAs/AlAs异质结
;
Si夹层
;
CV测量
;
导带带阶
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地址
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1.
北京师范大学物理学系, 北京, 100875
2.
中科院半导体所, 半导体超晶格与微结构国家重点实验室, 北京, 100083
3.
北京师范大学分析测试中心, 北京
4.
北京师范大学分析测试中心, 北京, 100875
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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0476-0301 |
学科
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物理学 |
基金
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国家教育部高等学校骨干教师资助计划
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文献收藏号
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CSCD:1360389
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1.
Capasso F.
J Vac Sci Technol.B,1985,3:1245
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被引
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次
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2.
Sorba L.
Phys Rev.B,1991,43:2450
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被引
2
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3.
Biasiol G.
Phys Rev Lett,1992,69:1283
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被引
1
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4.
Kromer H.
Appl Phys Lett,1980,36:295
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被引
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次
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5.
Landolt Bornstein.
Numerical data and functional relationships in science and technology,1982
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被引
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次
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6.
Munoz A.
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被引
2
次
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