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1.55μm Si基光电探测器的研究进展
Progress of Research on 1.55 μm SiGe Photodetectors

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文摘 从材料的生长、器件结构的选择等方面对1.55μm锗光电探测器的研究进展进行了综述,对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。
其他语种文摘 Recent studies on the 1.55 μm photodetector are reviewed with focus on the growth of SiGe material and the choice of detector's structure.The underling importance of the Ge quantum dot photodetector is also discussed
来源 半导体光电 ,2003,24(2):79-83,90 【扩展库】
关键词 锗硅 ; 光电探测器 ; 量子点 ; RCE
地址

中科院半导体所, 集成光电子学国家重点联合实验室, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1001-5868
学科 电子技术、通信技术
基金 国家973计划 ;  国家863计划 ;  国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:1353316

参考文献 共 25 共2页

1.  Ejeckarn F E. ApplPhys.Lett,1995,67(26):3936-3938 被引 1    
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20.  Li B J. Appl.Phys.Lett,1999,74(12):1163-1165 被引 1    
引证文献 3

1 魏榕山 以Sia_3 N_4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究 传感技术学报,2006,19(5A):1771-1774
被引 1

2 李欢 长波长锗硅光电探测器的材料生长研究 半导体技术,2007,32(5):406-409
被引 0 次

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