Design of Tensile Strained InGaAsP/InGaAsP MQW for 1.55μmpolarization Indepent Semiconductor Optical Amplifier
1.55μm张应变InGaAsP/InGaAsP量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的优化设计
查看参考文献18篇
文摘
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The theoretical optimization of tensile strained InGaAsP/InGaAsP MQW for 1.5μm window polarization-independent semiconductor optical amplifier is reported. The valence-band structure of the MQw is calculated by using K·P method, in which 6×6 Luttinger effective-mass Hamiltonian is taken into account. LThe polarization dependent optical gain is calculated with various well width, strain, and carrier density. |
其他语种文摘
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优化设计了1.55μmInGaAsP/InGaAsP张应变量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的结构,利用K·P方法计算了多量子阱的价带结构,计算中考虑了6×6有效质量哈密顿量,从阱宽,应变、注入载流子密度等方面计算了量子阱模式增益的偏振相关性。 |
来源
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半导体学报
,2003,24(1):11-17 【核心库】
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关键词
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semiconductor optical amplifier
;
polarization independence
;
MQW
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地址
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1.
中科院半导体所国家光电子工艺中心, 北京, 100083
2.
Deparement of Physics, Xiamen Univeristy, Xiamen, 361005
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语种
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英文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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0253-4177 |
学科
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电子技术、通信技术 |
文献收藏号
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CSCD:1297994
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参考文献 共
18
共1页
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