GaN的声表面波特性研究
Study of the Surface Acoustic Wave Properties of GaN
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文摘
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采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性，在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器，叉指换能器采用等叉指结构，叉指的数目为40对，叉指间距为15μm。采用脉冲法测量了声表面波在自由表面和金属表面上的速度，并通过计算得到了机电耦合系数(κ^2)。所测量的声表面波速度（ν)为5667m／s，机电耦合系数(κ^2)为1．9％。 |
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其他语种文摘
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High quality and high resistivity (0001) GaN film was grown on (0001) plane sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). To measure the surface acoustic wave (SAW) properties accurately, metallized interdigital transducers (IDT) were deposited on the GaN surface. The pitch of the IDT was 15/um ( =λ/4, λ: SAW wavelength), and the number of IDT finger pairs was 40. The surface acoustic wave velocity on free surface and that on metal surface were measured by pulse method respectively, and then the electromechanical coupling coefficient was calculated. The surface acoustic wave velocity (v) and electromechanical coupling coefficient (k2) were measured as 5 667m/s and 1.9% respectively.
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来源
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发光学报
,2003,24(2):161-164 【核心库】
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关键词
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GaN
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声表面波特性
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氮化镓
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声表面波速度
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机电耦合系数
;
薄膜生长
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声表面波器件
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地址
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1.
航天航空总公司二院23所声表面波公司, 北京, 100854
2.
中国科学院声学研究所, 北京, 100083
3.
中国科学院半导体研究所, 中国科学院半导体材料科学重点实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1000-7032 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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基金
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国家自然科学基金
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国家973计划
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文献收藏号
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CSCD:1292129
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参考文献 共
16
共1页
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|
1.
Julian W.
Microsensors, MEMS and Smart Devices,2001
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
2.
Andreas Mandelis.
Physics and Chemistry and Technoology of Solid State Gas Sensor Devices,1993
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
3.
Michel Feldmann.
Surface Acoustic Waves for Signal Processing,1989
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
4.
Chen Zhen.
Chin J Lumin,2001,22(Suppl):17-20
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
5.
Han Peide.
Chin J Lumin,2001,22(Suppl):33-37
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
6.
Bao Chunyu. Comparison of Properties of Metal-seminconductor-metal GaN Ultraviolet Photodetectors Oeprated at 94K Low Temperature and at Room Temperature.
Chin J Lumin,2002,23(5):461-464
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
7.
Strite S.
J Vac Sci Technol B,1992,10(4):1237-1266
|
被引
113
次
|
|
|
|
|
8.
Benaridin F.
Phys Rev,1997,56:R10024-R10027
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
9.
Bykhovski A D.
Appl Phys Lett,1996,68:818-819
|
被引
4
次
|
|
|
|
|
10.
O'Clock G D.
Appl Phys Lett,1973,23:55-56
|
被引
4
次
|
|
|
|
|
11.
Dege C.
Appl Phys Lett,1998,72:2400-2402
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
12.
Lean E G H.
Proc IEEE,1970,58:1939-2402
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
13.
Mcskimin H J.
J Acoust Soc Am,1961,33:12-15
|
被引
2
次
|
|
|
|
|
14.
Papadakis E P.
J Acoust Sco Am,42:1045-1050
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
15.
Chen P. Microstructures of GaN buffer layers grown on Si(111) using rapic thermal process low-pressure metalorganic chemical vapor deposition.
Chin Phys Lett,2000,17(3):224-226
|
被引
6
次
|
|
|
|
|
16.
Wang C H.
hin Phys Lett,1999,16(10):40-741
|
被引
1
次
|
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