二元高－k材料研究进展及制备
The progress and preparation of binary compound high-k dielectric
查看参考文献30篇
|
文摘
|
随着大规模集成电路的发展，需要一种高介质材料来代替传统的SiO2,介绍了可能替代SiO2的几种二元材料的研究现状，主要包括Si3N4,Ta2O5,TiO2,ZrO2,Y2O3,Gd2O3和CeO2几种材料的结构和电学性能，以及制备薄膜的几种方法；蒸发法，化学气相沉积和离子束沉积。 |
|
其他语种文摘
|
With the progress of the ULSI, a high-k material was needed to substrate the SiO_2 as gate dielectric. In this paper, some promising candidates such as Si_3N_4, Ta_2O_5, TiO_2, ZrO_2, Y_2O_3, Gd_2O_3, Ce0_2 were introduced, focusing on their electric properties and structure. Some techniques used to prepare high-k materials were presented, including vapor, CVD and IBD. |
|
来源
|
功能材料
,2002,33(5):462-464,467 【核心库】
|
|
关键词
|
研究进展
;
制备
;
高-k材料
;
蒸发法
;
CVD
;
IBD
;
系统芯片
;
集成电路
|
|
地址
|
中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083
|
|
语种
|
中文 |
|
文献类型
|
综述型 |
|
ISSN
|
1001-9731 |
|
学科
|
电子技术、通信技术 |
|
基金
|
国家973计划
|
|
文献收藏号
|
CSCD:1227132
|
参考文献 共
30
共2页
|
|
1.
Shannon R D.
J Appl Phys,1993,73:348-366
|
被引
107
次
|
|
|
|
|
2.
李美成. 硅基PtSi纳米薄膜制备及应用研究进展.
功能材料,2001,32(3):237-239
|
被引
2
次
|
|
|
|
|
3.
Forsgren K.
Thin Solid Films,1999,343/344:111-114
|
被引
3
次
|
|
|
|
|
4.
Lin J.
Appl Phys Lett,1999,74:2370-2372
|
被引
2
次
|
|
|
|
|
5.
Chiu F C.
J Appl Phys,1997,81:6911-6915
|
被引
3
次
|
|
|
|
|
6.
Autran J L.
IEEE Electron Device Letters,1997,18:447-449
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
7.
Erkov V G.
Applied Surface Science,2000,166:51-56
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
8.
Kang B C.
Surface and Coatings Technology,2000,131:88-92
|
被引
7
次
|
|
|
|
|
9.
Harada K.
Jpn J Appl Phys,1991,30:934-938
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
10.
Porqueras I.
Thin Solid Films,1999,343/344:449-452
|
被引
2
次
|
|
|
|
|
11.
Yokota K.
Thin Solid Films,1999,343/344:138-141
|
被引
2
次
|
|
|
|
|
12.
Fukumoto H.
J Appl Phys,1989,65:5210-5212
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
13.
Hong M.
J Appl Phys,1989,65:5210-5212
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
14.
Hong M.
J Vac Sci Technol B,1996,14:2297-2230
|
被引
5
次
|
|
|
|
|
15.
Huang Dading.
Appl Phys Lett,1995,67:3724-3725
|
被引
2
次
|
|
|
|
|
16.
柴春林. CeO_2/Si薄膜PL谱的“紫移”.
科学通报,2001,46:1511-1512
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
17.
Sato H.
Appl Phys Lett,2000,77:2752-2754
|
被引
5
次
|
|
|
|
|
18.
Roy P K.
Appl Phys Lett,1998,72:2835-2837
|
被引
2
次
|
|
|
|
|
19.
Stephen A Campbell.
IEEE Trans Electron Devices,1997,44:104-109
|
被引
9
次
|
|
|
|
|
20.
Hubbard K J.
J Mater Res,1996,11:1757
|
被引
1
次
|
|
|
|
|
了解气象卫星更多信息，请访问