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不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性
Relativity of Radiation Damage in Fluorinated CMOS Operational Amplifiers
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文摘
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在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐射响应进行了研究。分析比较了注F和未注F放电路电离辐照响应之间的差异。结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性。 |
其他语种文摘
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Ionizing radiation effects on fluorinated and no F-implanted CMOS operational amplifiers are investigated,and the difference between the radiation performances is analyzed and compared. The results show that the suit F-implanted can avail-ably control the increase of radiation induced oxide charge especially for interface state so that the capacity of radiation hard-ness is improved. |
来源
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半导体学报
,2003,24(7):780-784 【核心库】
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关键词
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注F CMOS运算放大器
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电离辐照
;
跨导
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地址
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1.
中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐, 830011
2.
西安微电子技术研究所, 西安, 710054
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语种
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中文 |
文献类型
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研究性论文 |
ISSN
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0253-4177 |
学科
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电子技术、通信技术 |
文献收藏号
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CSCD:1199773
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参考文献 共
11
共1页
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