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不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性
Relativity of Radiation Damage in Fluorinated CMOS Operational Amplifiers

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任迪远 1   陆妩 1   余学锋 1   郭旗 1   张国强 1   胡浴红 2   王明刚 2   赵文魁 2  
文摘 在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐射响应进行了研究。分析比较了注F和未注F放电路电离辐照响应之间的差异。结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性。
其他语种文摘 Ionizing radiation effects on fluorinated and no F-implanted CMOS operational amplifiers are investigated,and the difference between the radiation performances is analyzed and compared. The results show that the suit F-implanted can avail-ably control the increase of radiation induced oxide charge especially for interface state so that the capacity of radiation hard-ness is improved.
来源 半导体学报 ,2003,24(7):780-784 【核心库】
关键词 注F CMOS运算放大器 ; 电离辐照 ; 跨导
地址

1. 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐, 830011  

2. 西安微电子技术研究所, 西安, 710054

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:1199773

参考文献 共 11 共1页

1.  Yablonovich E. Unusually low surface-recombination velocity on silicon and germanium surfaces. Phys Rev Lett,1986,57:249 被引 2    
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8.  张国强. 注F CC4007电路的电离辐射效应. 半导体学报,1996,17(1):35 被引 6    
9.  张国强. 注F场氧介质总剂量辐照的研究. 半导体学报,1997,18(6):466 被引 5    
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11.  任迪远. 不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应. 半导体学报,2000,21(9):898 被引 2    
引证文献 1

1 崔帅 预先老化对注F nMOS器件辐射可靠性的影响 半导体学报,2005,26(1):111-114
被引 0 次

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