分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别
Deep centers investigations of P-HEMT functional materials of ultra-high-speed microstructures grown by MBE
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文摘
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应用深能级瞬态谱（DLTS）技术研究分子束外延（MBE）生长的high electron mobility transistors （HEMT）和Pseudomorphic high electron mobility transistors （P-HEMT）结构深中心行为。样品的DLTS谱表明，在HEMT和P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度（10~(15)-10~(17)cm~(-3)）和俘获截面（10~(-16)cm~2）的近禁带中部电子争阱。它们可能与AlGaAs层的氧含量有关。同时还观察到P-HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs/InGaAs/GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心（与硅有关）能级位置的有序移动。其移动量可作为应力大小的一个判据，表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具。 |
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其他语种文摘
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The deep centers of high electron mobility transistor (HEMT) and pseudomorphic-HEMT (P-HEMT) functional materials of ultra-high-speed microstructures grown by MBE are investigated using deep level transient spectroscopy (DLTS) technique. DLTS spectra demonstrate that midgap states, having larger concentrations and capture cross sections, are measured in n-AlGaAs layers of HEMT and P-HEMT structures. These states may correlate strongly with oxygen content of n-AlGaAs layer. At the same time, one can observe that the movement of DX center is related to silicon impurity that is induced by the strain in AlGaAs layer of the mismatched AlGaAs/InGaAs/GaAs system of P-HEMT structure. The experimental results also show that DLTS technique may be a tool of optimization design of the practical devices. |
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来源
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物理学报
,2002,51(2):372-376 【核心库】
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DOI
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10.7498/aps.51.372
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关键词
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分子束外延生长
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高电子迁移率超高速微结构功能材料
;
深中心
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地址
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1.
中国科学院半导体研究所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083
2.
香港科技大学物理系, 香港
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1000-3290 |
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学科
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物理学 |
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基金
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国家973计划
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香港科技大学基金
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文献收藏号
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CSCD:1146134
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参考文献 共
16
共1页
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