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氢化非晶硅氧薄膜微结构

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王永谦 1   廖显伯 1   刁宏伟 1   程文超 2   李国华 2   陈长勇 1   张世斌 1   徐艳月 1   陈维德 1   孔光临 1  
文摘 以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸了光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧（a-SiOx:H)薄膜的微结构及键构型。研究表明，在0．52≤x≤1.58的氧含量范围内，a-SiOx:H薄膜成分和结构不是均一的，依赖于局域键构型氧化程度的不同，大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分，即Si,Si2O(:H),SiO(:H),Si2O3(:H)和SiO2。其中的Si相以非氢化的非晶硅（a-Si)颗粒形式存在，随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在。提出一种多壳层模型来描述a-SiOx:H薄膜的结构，认为a-SiOx:H薄膜中a-Si颗粒依次为Si2O(:H),SiO(:H),Si2O3(:H)和SiO2壳层所包围。随薄膜氧含量x的增加，各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变。
来源 中国科学. A辑 , 数学,2002,32(6):531-537 【核心库】
关键词 氢化非晶硅氧薄膜 ; a-SiOx:H ; 微结构 ; 键构型 ; PECVD法 ; 发光机制 ; 薄膜结构
地址

1. 中国科学院半导体研究所, 凝聚态物理中心表面物理国家重点实验室, 北京, 100083  

2. 中国科学院半导体研究所, 超晶格与微结构国家重点实验室, 北京, 100083

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 1006-9232
学科 电子技术、通信技术
基金 国家自然科学基金 ;  国家973计划
文献收藏号 CSCD:1133371

参考文献 共 28 共2页

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引证文献 2 篇

1 于威 螺旋波等离子体沉积纳米硅薄膜结构特性 功能材料与器件学报,2004,10(2):177-181
被引 1 次

2 刘涌 常压化学气相沉积方法制备非晶硅薄膜及其光致发光性能研究 真空科学与技术学报,2004,24(6):469-471
被引 0 次

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