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Si(100)-As表面纯化作用和氧吸附

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钟战天 1   王大文 2   范越 1   李承芳 1  
来源 半导体学报 ,1990,11(2):104 【核心库】
关键词 Si-As表面 ; 纯化效应
地址

1. 中科院半导体所, 北京  

2. 清华大学, 北京, 100084

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:112399

参考文献 共 1 共1页

1.  钟战天. 真空科学和技术,1987,7:135 被引 1    
引证文献 2

1 尹民 低压MOCVD法生长GaAs/Si单晶膜及膜的特性研究 中国科学技术大学学报,1996,26(2):228
被引 0 次

2 尹民 常压MOCVD法在多孔硅上生长GaAs 中国科学技术大学学报,1996,26(3):284
被引 0 次

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