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1. 中科院半导体所, 北京
2. 北京大学, 北京
参考文献 共 4 共1页
1 高玉芝 全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAs MESFET技术研究 半导体学报,1996,17(1):27 被引 0 次
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