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铬硅化物的形成及其界面反应

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丁孙安 1   许振嘉 1   李宝骐 2   周一峰 2  
来源 半导体学报 ,1990,11(12):906 【核心库】
关键词 铬硅化物 ; 界面反应 ; XPS
地址

1. 中科院半导体所, 北京  

2. 中国科学技术大学, 安徽, 合肥

语种 中文
文献类型 研究性论文
ISSN 0253-4177
学科 电子技术、通信技术
基金 国家自然科学基金
文献收藏号 CSCD:112269

参考文献 共 5 共1页

1.  季明荣. 半导体学报,1988,9(5):524 被引 3    
2.  王守武. 半导体器件的研究与进展.2,1990 被引 1    
3.  陆家和. 表面分析技术,1987 被引 50    
4.  李宝骐. ,1988 被引 1    
5.  周一峰. ,1989 被引 1    
引证文献 1

1 金高龙 Cr/GaAs界面的反应特性及电子性质的研究 半导体学报,1991,12(5):265
被引 1

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