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掺铒GaN薄膜光致发光的研究
Photoluminscence Properties of Er-Implanted GaN
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文摘
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采用傅立叶变换红外光谱（FT-IR）研究了掺铒GaN薄膜光致发光特性，光致发光谱（PL）的测量结果表明：选用退火时间长的电阻加热退火护退火，有利于薄膜中晶格损伤的恢复，MOCVD，MBF两种方法制备的GaN薄膜，注入铒，退火后的PL谱形状基本一样，薄膜中O，C的含量越大，可能导致1539nm处的PL强度越强，不同衬底对掺铒GaN薄膜的红外光致发光影响很大，在Si衬底上外延生长的GaN样品峰值在1539nm处的PL积分强度只有Al2O3(0001)衬底上外延生长GaN样品的30％，MBE生长的GaN/Al2O3样品，注入铒，退火后，当测量温度从15K变化到300K时，样品发光的温度猝灭是30％。 |
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其他语种文摘
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The photoluminscence (PL) properties of Er-implanted GaN thin films were studied. The exper-imental results indicate that the ion implantation in-duced damage in host material can be mostly recovered by annealing of a proper duration in conventional re-sistance heating furnace. The PL spectra for GaN = Er grown by either MOCVD or MBE show a similar fea-ture, but those samples containing higher O and C concentrations have the higher 1539 nm PL intensity. Moreover, the PL intensity at 1539 nm is seriously af- fected by what kind of substrates the GaN grown on. The integrated intensity PL peak at 1539 nm for GaN: Er on Si (111) has only 30% of that grown on AlO_ (0001). The thermal quenching of PL intensity for MBE grown GaN:Er/Al_2O_3 sample from 15 to 300 K is 30%. |
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来源
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中国稀土学报
,2002,20(6):535-539 【核心库】
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关键词
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GaN薄膜
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稀土
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GaN
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铒
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光致发光
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氮化镓
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半导体
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地址
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中国科学院半导体研究所, 凝聚态物理中心和表面物理国家实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1000-4343 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:1120298
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参考文献 共
12
共1页
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