量子阱平面光学各向异性的偏振差分反射谱研究
In-plane Optical Anisotropy of Quantum Well Structures Studied by Reflectance Difference Spectroscopy
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文摘
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在室温下用偏振差分反射谱技术观察到了GaAs/AlGs、InGaAs/GaAs和InGaAs/InP三种量子阱材料的平面光学各向异性。我们发现GaAs/AlGaAs量子阱1h→1e跃迁的偏振度与阱宽成反比，与InGaAs/InP量子阱的报道结果类似。Ga原子偏析引起的界面不对称可以很好地解释这种行为。与之相反，InGaAs/GaAs量子阱的光学各向异性倾向于与阱宽成正比，目前还不能很好地解释这种现象。 |
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其他语种文摘
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The in-plane optical anisotropy of a series of Ga As /AlGa As, InGaAs/GaAs and InGaAs/InP quantum-well (QW) structures has been observed by reflectance difference spec-troscopy (RDS) at room temperature. It is found that the polarization degree of cxcitonic tran-sitions of GaAs/AIGaAs QW is inversely proportional to the well width.like the case of In-GaAs/InP QW that has studied by other authors. This behavior can be well explained by the in-terface asymmetry of QWs appearing as a result of the segregation of gallium atoms during growth. In contrast,the optical anisotropy of InGaAs/GaAs QW tends to increase linearly with the well width,which can not be well explained at present. |
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来源
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固体电子学研究与进展
,2002,22(4):412-416 【核心库】
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关键词
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光学各向异性
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量子阱
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界面不对称
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偏振
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地址
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中科院半导体所, 中科院半导体材料科学开放实验室, 北京, 100083
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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1000-3819 |
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学科
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物理学 |
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基金
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国家自然科学基金
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国家973计划
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文献收藏号
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CSCD:1072272
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参考文献 共
18
共1页
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