文摘
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结果表明,Al吸附Ga后可使发现位错的临界应力强度因子从K_(Ie)=0.5MPam~(1/2)降为K_(Ie)(L)=0.4Mpam~(1/2);对Cu则从K_(Ie)=0.55MPam~(1/2)降为K_(Ie)(L)=0.45MPam~(1/2),即Ga吸附后能促进位错的发现。另外,吸附Ga之后裂尖前方容易产生空位团及Frank位错。 |
来源
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力学学报
,2000,32(3):272 【核心库】
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关键词
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液体金属脆
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分子动力学模拟
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Ga
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Al
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地址
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1.
北京科技大学材料物理系, 北京, 100083
2.
中科院力学所, 非线性连续介质力学开放实验室, 北京, 100080
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语种
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中文 |
ISSN
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0459-1879 |
学科
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物理学 |
基金
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国家攀登计划项目
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:703787
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