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半导体激光器研究进展
Development of Semiconductor Lasers

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陈良惠 1   杨国文 2,3   刘育衔 2  
文摘 半导体激光器从诞生至今半个世纪,在理论、实践和应用方面取得了巨大进展,占据了整体激光领域的大部分市场,广泛应用于通信网络、工业加工、医疗美容、激光传感、航空国防、安全防护,以及消费电子等领域。本文在回顾国际国内早期半导体激光器发展历程的基础上,重点针对高功率泵浦源领域的GaAs基8xx nm和9xx nm半导体激光器,三维感知领域的905nm隧道结激光器和940nm垂直腔面发射激光器,以及光谱分析和红外感测领域的GaSb基红外激光器和InP基量子级联激光器进行了简单总结。内容包括半导体激光器的主要应用场景、所追求的主要目标、近10年国内外发展的最新进展,以及今后可能的发展趋势与方向。
其他语种文摘 Semiconductor laser has been half a century since its birth,tremendous progress has been made in theory,practice,and applications,and the market occupies more than half of the entire laser field.It is widely used in communication networks,industrial processing,medical and beauty,laser sensing,aviation and defense,security protection,and even consumer electronics.On the basis of reviewing the development history of early domestic and international semiconductor lasers,this article mainly focuses on GaAs-based 8xx nm and 9xx nm semiconductor lasers in the field of high-power pump sources,905nm tunnel junction lasers and 940nm vertical cavity surface emitting lasers in the field of three-dimensional sensing,and GaSb-based infrared lasers and InP-based quantum cascade lasers in the field of spectral analysis and infrared sensing,for a brief review.The content includes the main application scenarios,the main goals pursued,the latest developments in the past 10 years at home and abroad,and the possible development trends and directions in the future.
来源 中国激光 ,2020,47(5):0500001 【核心库】
DOI 10.3788/CJL202047.0500001
关键词 激光器 ; 半导体激光器 ; 边发射激光器 ; 垂直腔面发射激光器 ; 红外激光器
地址

1. 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室, 北京, 100083  

2. 中国科学院西安光学精密机械研究所, 瞬态光学与光子技术国家重点实验室, 陕西, 西安, 710119  

3. 度亘激光技术(苏州)有限公司, 江苏, 苏州, 215123

语种 中文
文献类型 综述型
ISSN 0258-7025
学科 电子技术、通信技术
文献收藏号 CSCD:6734798

参考文献 共 100 共5页

1.  Epperlein P W. Semiconductor laser engineering, reliability and diagnostics,2013 CSCD被引 1    
2.  Zhang J. Large optical gain AlGaN-delta-GaN quantum wells laser active regions in mid-and deep-ultraviolet spectral regimes. Applied Physics Letters,2011,98(17):171111 CSCD被引 8    
3.  Murayama M. Watt-class green(530nm)and blue(465nm)laser diodes. Physica Status Solidi,2018,215(10):1700513 CSCD被引 8    
4.  Hall R N. Coherent light emission from GaAs junctions. Physical Review Letters,1962,9(9):366-368 CSCD被引 33    
5.  Nathan M I. Stimulated emission of radiation from GaAs p-n junctions. Applied Physics Letters,1962,1(3):62-64 CSCD被引 9    
6.  Quist T M. Semiconductor maser of GaAs. Applied Physics Letters,1962,1(4):91-92 CSCD被引 7    
7.  Kroemer H. A proposed class of hetero-junction injectionlasers. Proceedings of the IEEE,1963,51(12):1782-1783 CSCD被引 10    
8.  Panish M B. Doubleheterostructure injection lasers with roomtemperature thresholds as low as 2300A/cm2. Applied Physics Letters,1970,16(8):326-327 CSCD被引 3    
9.  Soda H. GaInAsP/InP surface emitting injection lasers. Japanese Journal of Applied Physics,1979,18(12):2329-2330 CSCD被引 48    
10.  Iga K. Surface emitting semiconductor lasers. IEEE Journal of Quantum Electronics,1988,24(9):1845-1855 CSCD被引 32    
11.  Wang S. Proposal of periodic layered waveguide structures for distributedlasers. Journal of Applied Physics,1973,44(2):767-780 CSCD被引 1    
12.  王启明. 半导体光电子学在半导体所的开拓和发展. 中国科学院半导体研究所建所四十周年纪念文集,2000:109 CSCD被引 1    
13.  彭怀德. 1.5μmInGaAsP/InP P型衬底隐埋新月型(PBC)结构激光器. 半导体学报,1989,10(2):143-145 CSCD被引 3    
14.  王圩. 低阈值1.5μm平面掩埋脊型(PBR)分布反馈激光器. 半导体学报,1992,13(5):279-286,327 CSCD被引 2    
15.  Xiao J W. Extremely low threshold current,buried-heterostructure strained InGaAs-GaAs multiquantum well lasers. Electronics Letters,1992,28(2):154-156 CSCD被引 4    
16.  Chen L H. Quantum well lasers and their applications. International Journal of High Speed Electronics &Systems,1996,7(3):373-381 CSCD被引 1    
17.  陈良惠. 量子阱光电子器件的发展与中国光电子器件产业的形成. 中国工程科学,1999,1(3):75-78 CSCD被引 2    
18.  张书明. 氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性. 半导体学报,2005,26(6):158-160 CSCD被引 1    
19.  陈良惠. GaN基蓝光半导体激光器的发展. 物理,2003,32(5):302-308 CSCD被引 6    
20.  杨辉. GaN基蓝紫光激光器的材料生长和器件研制. 半导体学报,2005,26(2):414-417 CSCD被引 2    
引证文献 55

1 李波 高功率半导体激光阵列的高温特性机理 发光学报,2020,41(9):1158-1164
CSCD被引 3

2 樊碤润 回音壁微腔激光器电老化试验及寿命分析 中国激光,2022,49(6):0601001
CSCD被引 2

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