基于PIN二极管的快上升沿电磁脉冲防护模块设计与研究
Design and Research of the Fast Rise Time Electromagnetic Pulse Protection Module Based on PIN Diode
查看参考文献16篇
|
文摘
|
为了研究PIN二极管对快上升沿电磁脉冲的响应,基于PIN二极管时域等效电路模型,仿真研究了PIN二极管电路在快上升沿电磁脉冲作用下的瞬态电压特性。以集总参数巴特沃斯低通滤波器电路为原型,通过拟合二极管寄生参数值,结合键合金丝电感参数,设计了一款基于PIN二极管的快上升沿电磁脉冲防护电路模块,并对防护电路模块的快上升沿电磁脉冲防护性能进行了测试。结果表明:在1~250 MHz短波、超短波频段内,防护模块的插损小于0.38 dB;当输入方波脉冲为4 000 V时,限幅响应时间小于2 ns,输出电平小于30 V,满足快上升沿电磁脉冲的防护要求。 |
|
其他语种文摘
|
The fast rise time electromagnetic pulse (FREMP) is an important cause of damage to electronic equipment, and the PIN diode can effectively suppress electromagnetic pulse. In order to investigate the transient response of PIN diodes to FREMP, a time-domain equivalent circuit model based on PIN diodes is adopted. And the transient voltage characteristic of PIN diode circuit under the effect of FREMP is analyzed. Considering the parasitic components of PIN diodes and the bonding wire inductance, the whole physical structure of FREMP protection module is set up based on Butterworth low pass filter model. A FREMP protection module is realized. The measured insertion loss of protection module is lower than 0.38 dB in 1-250 MHz. At large signal condition with input square wave pulse of 4 000 V, the response time is less than 2 ns and the output level is lower than 30 V, which meets the protection requirement of FREMP. |
|
来源
|
兵工学报
,2018,39(10):2066-2072 【核心库】
|
|
DOI
|
10.3969/j.issn.1000-1093.2018.10.021
|
|
关键词
|
快上升沿电磁脉冲
;
PIN二极管
;
尖峰泄漏
;
防护模块
|
|
地址
|
陆军工程大学石家庄校区静电与电磁防护研究所, 河北, 石家庄, 050003
|
|
语种
|
中文 |
|
文献类型
|
研究性论文 |
|
ISSN
|
1000-1093 |
|
学科
|
物理学 |
|
基金
|
国家自然科学基金项目
|
|
文献收藏号
|
CSCD:6365107
|
参考文献 共
16
共1页
|
|
1.
张子剑. 强电磁脉冲上升时间对RS触发器损伤阈值仿真分析.
强激光与粒子束,2017,29(8):55-60
|
CSCD被引
1
次
|
|
|
|
|
2.
Montano R. Behavior of low-voltage surge protective devices under high-current derivative impulses.
Transactions on Power Delivery,2007,22(4):2185-2190
|
CSCD被引
4
次
|
|
|
|
|
3.
.
IEC 61000-4-2:2001 Electromagnetic compatibility (EMC)-Part 4: testing and measurement techniques-Section 24: test methods for protective devices for HEMP conducted disturbance. IEC TC,1997
|
CSCD被引
1
次
|
|
|
|
|
4.
王晨.
射频前端强电磁脉冲防护方法研究,2013:7-11
|
CSCD被引
3
次
|
|
|
|
|
5.
颜克文.
短波通信设备电磁防护技术研究,2009:43-51
|
CSCD被引
6
次
|
|
|
|
|
6.
郑生全. 电子设备和系统射频通道高功率微波电磁脉冲场—路综合防护方法综述.
中国舰船研究,2015,10(2):7-13
|
CSCD被引
9
次
|
|
|
|
|
7.
谭志良. 电子设备高功率电磁辐照效应.
高电压技术,2005,31(10):33-35
|
CSCD被引
3
次
|
|
|
|
|
8.
张俊. 纳秒脉冲下典型钳压型浪涌防护元件的响应特性.
强激光与粒子束,2016,28(12):131-136
|
CSCD被引
1
次
|
|
|
|
|
9.
张希军. 瞬态电压抑制器在快上升沿电磁脉冲作用下的瞬态响应.
高电压技术,2012,38(9):2242-2247
|
CSCD被引
11
次
|
|
|
|
|
10.
Caverly R H. SPICE modeling of microwave and RF control diodes.
Proceedings of the 43th IEEE Midwest Symposium on the Circuits and Systems,2000:28-31
|
CSCD被引
1
次
|
|
|
|
|
11.
陆凡.
PIN二极管限幅器的瞬态电热耦合分析,2015:48-51
|
CSCD被引
1
次
|
|
|
|
|
12.
刘国靖. 高功率微波短脉冲雷达接收机保护装置设计.
西安电子科技大学学报,2002,29(2):236-240
|
CSCD被引
4
次
|
|
|
|
|
13.
张亚舟. 基于反向开关晶体管的脉冲电源在电磁发射中的应用.
兵工学报,2017,38(4):658-662
|
CSCD被引
3
次
|
|
|
|
|
14.
丁家峰.
PIN二极管的物理机制、仿真模型及其应用研究,2001:13-14
|
CSCD被引
3
次
|
|
|
|
|
15.
Kreyasu M. X-band PIN diode limiter with low spike leakage performances using re-entrant coaxial cavity.
Proceedings of 2008 European Conference on Wireless Technology,2008:735-738
|
CSCD被引
1
次
|
|
|
|
|
16.
张海伟. 高功率PIN限幅器设计及测试方案.
强激光与粒子束,2011,23(11):3029-3033
|
CSCD被引
6
次
|
|
|
|
|
了解气象卫星更多信息，请访问