|
|
磁控溅射阴极靶磁场分布的定量评价
Quantitative evaluation for magnetic field distribution of magnetron sputtering target
查看参考文献12篇
|
文摘
|
针对磁控溅射阴极靶磁场分布难以进行定量评价的问题,提出以磁场水平分量Bx的平行率Rk为量化指标,对磁场分布状态进行评价的新方法;采用有限元方法,模拟分析了磁控溅射阴极靶结构参数对磁场分布的影响规律,并利用Rk对结构参数的合理性进行了验证.结果表明,量化指标Rk可以有效地评价磁场分布的优劣,能够为磁场模拟及分析提供基础的科学判据 |
|
其他语种文摘
|
In order to quantitatively evaluate magnetic field distribution of magnetron sputtering cathode targets,a criterion called parallel rate Rk to the horizontal magnetic field component Bx was suggested,which was a new method to evaluate magnetic field distribution.The effects of structural parameters of cathode target on magnetic field distribution during magnetron sputtering were simulated and analyzed by finite element method,and Rk was used to make authentication for the rationality of structural parameters.The results show that quantitative criterion Rk can effectively evaluate the magnetic field distribution,and can provide the basis criterion for magnetic field simulation and analysis |
|
来源
|
材料热处理学报
,2010,31(12):153-157 【核心库】
|
|
关键词
|
磁控溅射
;
磁场分布
;
结构参数
;
平行率
|
|
地址
|
中国科学院力学研究所, 北京, 100190
|
|
语种
|
中文 |
|
文献类型
|
研究性论文 |
|
ISSN
|
1009-6264 |
|
学科
|
一般工业技术 |
|
基金
|
国家自然科学基金
|
|
文献收藏号
|
CSCD:4086205
|
参考文献 共
12
共1页
|
|
1.
Lieberman M A.
Principles of Plasma Discharges and Materials Processing,1994:465-470
|
CSCD被引
2
次
|
|
|
|
|
2.
杨文茂. 溅射沉积技术的发展及其现状.
真空科学与技术学报,2005,25(3):204-210
|
CSCD被引
20
次
|
|
|
|
|
3.
姜燮昌. 大面积反应溅射技术的最新进展及应用.
真空,2002,39(3):1-9
|
CSCD被引
8
次
|
|
|
|
|
4.
杨钰瑛. 采用中频反应磁控溅射技术沉积氮化锆薄膜.
材料热处理学报,2007,28(2):30-32
|
CSCD被引
3
次
|
|
|
|
|
5.
应春. 高效率平面磁控溅射器的研制.
真空科学与技术学报,1996,16(6):402-408
|
CSCD被引
1
次
|
|
|
|
|
6.
Thomas C G.
Arcing problems encountered during sputter deposit Ion of aluminum.White Paper,Advanced Energy Industries Incorporated,2000:1-8
|
CSCD被引
1
次
|
|
|
|
|
7.
刘翔宇. 磁控溅射镀膜设备中靶的优化设计.
真空,2003,40(4):16-22
|
CSCD被引
7
次
|
|
|
|
|
8.
韩大凯. 磁控溅射靶的磁路设计.
真空,2007,44(6):14-17
|
CSCD被引
3
次
|
|
|
|
|
9.
Parker Norman W.
Planar magnetron sputtering source enabling a controlled sputtering profile out to the target perimeter.United States Patent: 5242566,1993
|
CSCD被引
1
次
|
|
|
|
|
10.
De Bosscher W. Advances in magnetron sputter sources.
Thin Solid Films,1999,351(1/2):15-20
|
CSCD被引
2
次
|
|
|
|
|
11.
German J R. Magnetron shunt for enhanced performance of sputter targets.
IBM Technical Disclosure Bulletin,1993,36(11):414-418
|
CSCD被引
3
次
|
|
|
|
|
12.
QIU Qing-quan. Simulation to improve the magnetic field in the straight section of the rectangular planar DC magnetron.
Vacuum,2008,82(6):657-663
|
CSCD被引
7
次
|
|
|
|
|
|
了解气象卫星更多信息，请访问