多铁性BiFeO_3/SrTiO_3多层膜的透射电镜研究
Transmission electron microscopic study of BiFeO_3/SrTiO_3 multiferroic multilayers
查看参考文献16篇
文摘
|
本文利用透射电子显微镜(TEM)研究了由磁控溅射法生长的多铁性BiFeO_3/SrTiO_3多层膜的微观结构. 衍衬分析及高分辨电子显微(HRTEM)像显示出界面清晰的各个单层. BiFeO_3外延生长在SrTiO_3(001)衬底上, 生长方向沿基体c轴. 随着薄膜厚度的增加, 即多层膜周期的加长, 层与层之间界面不再平直. 原子序数Z衬度成像, EDS线扫以及各种元素的能量过滤综合分析确定了多层膜的成分变化特征 |
其他语种文摘
|
Microstructures of BiFeO_3/SrTiO_3 Multiferroic multilayers prepared by magnetron sputtering were studied by transmission electron microscopy(TEM). Electron diffraction and contrast analysis reveal a very clear and well separated layer sequence. The BiFeO_3/SrTiO_3 multilayer is epitaxially grown on the substrate. The interface between the thin film and the substrate is sharp and distinct. High-angle angular dark-field imaging, elemental mapping and compositional analysis revealed that the compositions vary with the layer periodicity as expected. Due to the local composition inhomogeneity resulted from the sputtering process, it is found that interfaces become rough when increasing the thickness of the films |
来源
|
电子显微学报
,2010,29(4):338-343 【核心库】
|
关键词
|
多铁性
;
多层膜
;
界面
;
透射电子显微术
|
地址
|
1.
中国科学院金属研究所, 沈阳材料科学国家(联合)实验室, 辽宁, 沈阳, 110016
2.
浙江理工大学光电材料与器件中心, 浙江, 杭州, 310018
|
语种
|
中文 |
文献类型
|
研究性论文 |
ISSN
|
1000-6281 |
学科
|
一般工业技术;金属学与金属工艺 |
基金
|
国家自然科学基金
;
国家973计划
|
文献收藏号
|
CSCD:3984267
|
参考文献 共
16
共1页
|
1.
Eerenstein W.
Nature,2006,422:759
|
CSCD被引
297
次
|
|
|
|
2.
Fiebig M.
J Phys D: Appl Phys,2005,123:R152
|
CSCD被引
1
次
|
|
|
|
3.
Fischer P.
J Phys C,1980,13:1931
|
CSCD被引
36
次
|
|
|
|
4.
Wang Y.
Appl Phys Lett,2006,89:052903
|
CSCD被引
34
次
|
|
|
|
5.
Kim J K.
Appl Phys Lett,2006,88:132901
|
CSCD被引
10
次
|
|
|
|
6.
Zhang S T.
Appl Phys Lett,2006,88:162901
|
CSCD被引
16
次
|
|
|
|
7.
Huang F Z.
Appl Phys Lett,2006,89:242914
|
CSCD被引
7
次
|
|
|
|
8.
Jang H W.
Phys Rev Lett,2008,101:107602
|
CSCD被引
12
次
|
|
|
|
9.
Zhu Y L.
Phil Mag,2010,90(10):1359-1372
|
CSCD被引
1
次
|
|
|
|
10.
Vrejoiu I.
Appl Phys Lett,2007,90:072909
|
CSCD被引
2
次
|
|
|
|
11.
Bose S.
Appl Phys Lett,2007,90:212902
|
CSCD被引
4
次
|
|
|
|
12.
Ranjith R.
Appl Phys Lett,2007,91:222904
|
CSCD被引
3
次
|
|
|
|
13.
Chu Y H.
Appl Phys Lett,2007,90:252906
|
CSCD被引
9
次
|
|
|
|
14.
Zhu Y L.
Appl Phys Lett,2004,85:3438
|
CSCD被引
2
次
|
|
|
|
15.
Tu K N.
Electronic Thin Film Science for Electric Engineers and Materials Scientists,1992
|
CSCD被引
1
次
|
|
|
|
16.
Gere J M.
Mechanics of Materials, 4th ed,1997:889
|
CSCD被引
1
次
|
|
|
|
|