高浓度臭氧在分子束外延法制备Bi系氧化物薄膜中的应用
APPLICATION OF HIGH-CONCENTRATION OZONE IN THE PREPARATION OF Bi-BASED OXIDE THIN FILMS BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
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文摘
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利用硅胶吸附-解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置,通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子束外延制备Bi系氧化物薄膜的氧化源,在臭氧浓缩装置中,硅胶温度保持在-85℃左右,工作6 h,可获得浓度(摩尔分数)高于95%的臭氧,当臭氧浓缩装置中压强保持在1.3×10~3Pa,该臭氧浓度可维持5 h以上,X射线衍射结果表明,制备的高浓度臭氧在高真空条件下可将Cu氧化成CuO,并以此为氧化源利用分子束外延在MgO(100)衬底上制备了较高质量的Bi_2Sr_2CuO_(6+x)和Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+x)薄膜。 |
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其他语种文摘
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Using the principle of silica gel adsorbed-desorbed ozone,a homemade ozone concen- trating apparatus was devised,and the high-concentration ozone was used as oxide source in molecular beam epitaxy(MBE)to prepare Bi-based oxide thin films.The concentration(molar fraction)of ozone reached above 95%when the silica gel was kept at about-85℃for 6 h,and can be kept over 5 h when the pressure in concentrating apparatus kept 1.3×10~3 Pa.X-ray diffraction(XRD)demonstrated that the high-concentration ozone can oxidize Cu to CuO in high vacuum.Furthermore,the oxide source is good enough to prepare high-quality Bi_2Sr_2CuO_(6+x)and Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+x)thin fihns on the MgO (100)substrates by MBE. |
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来源
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金属学报
,2008,44(6):647-651 【核心库】
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关键词
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臭氧
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浓缩装置
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Bi系氧化物薄膜
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分子束外延
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地址
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东北大学理学院材料物理与化学研究所, 辽宁, 沈阳, 110004
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语种
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中文 |
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文献类型
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研究性论文 |
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ISSN
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0412-1961 |
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学科
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电子技术、通信技术 |
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基金
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国家自然科学基金
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文献收藏号
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CSCD:3323936
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参考文献 共
19
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