La_2Mo_2O_9系新型氧离子导体中氧空位扩散的内耗与介电弛豫研究
Internal friction and dielectric relaxation studies on the oxygen vacancy diffusion in the novel La_2Mo_2O_9-based oxide-ion conductors
查看参考文献28篇
文摘
|
报道了用内耗和介电弛豫方法研究新型氧离子导体La_2-xA_xMo_2O)9(其中,A=Ca,Bi,K;x=0-0.3)的最新结果,结果表明,在内耗-温度谱和介电损耗-温度谱上出现了两个与氧空位短程扩散有关的内耗峰和介电纪豫峰,说明氧空位扩散至少有两个不等同的弛豫过程,掺杂后,两弛豫峰都移向高温,氧空位的扩散激活能增加,高温弛豫峰高度降低而低温弛豫峰略有升高,在适当的掺杂条件下(30%Ca,5%Bi或5%K),低温下的电导率有不同程度的提高,根据实验结果和晶体结构提出了氧空位(或离子)扩散的物理图像。 |
其他语种文摘
|
Both internal friction and dielectric relaxation techniques were applied to investigate the novel oxide-ion conductors La_(2-x)A_xMo_2O_9(A=Ca, Bi, K; x=0-0.3). Two relaxation peaks associated with the short-distance diffusion of oxygen ions were observed on the curves of internal friction and dielectric loss versus temperature, indicating that there are at least two relaxation processes for oxygen ion diffusion. After doping LagMosOg with different elements, both relaxation peaks shift toward higher temperature and the activation energy of oxygen ion diffusion increases, the height of the higher-temperature peak decreases while that of the lower-temperature peak increases slightly. After properly doping (e.g. 30%Ca, 5%Bi, or 5%K doping), the conductivity of doped La_2Mo_2O_9 at low temperature increases in different degrees. Based on the experimental results and the crystalline structure, a physical picture for oxygen vacancy diffusion in La_(2-x)A_xMo_2O_9 samples is suggested. |
来源
|
金属学报
,2003,39(11):1133-1138 【核心库】
|
关键词
|
氧离子导体
;
固体氧化物燃料电池
;
钼酸镧
;
内耗
;
介用弛豫
|
地址
|
中国科学院固体物理研究所, 中科院材料物理重点实验室, 合肥, 230031
|
语种
|
中文 |
文献类型
|
研究性论文 |
ISSN
|
0412-1961 |
学科
|
金属学与金属工艺 |
基金
|
国家自然科学基金
|
文献收藏号
|
CSCD:1266984
|
参考文献 共
28
共2页
|
1.
Kendall K R.
Solid State Ionics,1995,82:215
|
CSCD被引
12
次
|
|
|
|
2.
Minh N Q.
J Am Ceram Soc,1993,76:563
|
CSCD被引
170
次
|
|
|
|
3.
Lane J A.
Solid State Ionics,1999,121:201
|
CSCD被引
9
次
|
|
|
|
4.
Pimenov A.
Solid State Ionics,1998,109:111
|
CSCD被引
10
次
|
|
|
|
5.
Cook R L.
Solid State Ionics,1991,45:311
|
CSCD被引
13
次
|
|
|
|
6.
Weller M.
J Am Ceram Soc,1986,69:573
|
CSCD被引
4
次
|
|
|
|
7.
Wang D Y.
J Phys Chem Solids,1983,14:639
|
CSCD被引
1
次
|
|
|
|
8.
Sammells A F.
Solid State Ionics,1992,52:111
|
CSCD被引
17
次
|
|
|
|
9.
Kramer S A.
Solid State Ionics,1995,82:15
|
CSCD被引
4
次
|
|
|
|
10.
Hibino T.
Science,2000,288:2031
|
CSCD被引
35
次
|
|
|
|
11.
Huang K.
J Am Ceram Soc,1998,81:2565
|
CSCD被引
23
次
|
|
|
|
12.
Lacorre P.
Nature,2000,404:856
|
CSCD被引
44
次
|
|
|
|
13.
Goutenoire F.
Chem Matter,2000,12:2575
|
CSCD被引
26
次
|
|
|
|
14.
Lacorre P.
Solid State Sci,2000,2:755
|
CSCD被引
12
次
|
|
|
|
15.
Wang X P.
J Phy: Conden Matter,2001,13:1641
|
CSCD被引
6
次
|
|
|
|
16.
Wang X P.
Solid State Ionics,2002,146:185
|
CSCD被引
13
次
|
|
|
|
17.
Wang X P.
Phys Rev.B,2002,65:06304
|
CSCD被引
4
次
|
|
|
|
18.
Wang X P.
Appl Phys Lett,2002,81:3434
|
CSCD被引
7
次
|
|
|
|
19.
Shannon R D.
Acta Crystallogr.A,1976,32:751
|
CSCD被引
1226
次
|
|
|
|
20.
袁立曦.
金属学报,1998,34:1016
|
CSCD被引
9
次
|
|
|
|
|