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Guo Weihua,
半导体学报, 2002, 23(6), 577-581 被引 2 次
检索结果分布(2)
来源
年代
作者
学科
1. 半导体学报(2)
1. 2004(1)
1. 张荣 南京大学(1)
1. 电子技术、通信技术(2)
2. 2003(1)
2. Huang Yongzhen 中国科学院半导体研究所(1)
3. Liu Ruixi 兰州大学(1)
题名
作者
来源
被引频次
1
P沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列
详细信息
杨红官;
施毅;
闾锦
濮林;
沈波;
张荣;
郑有蚪
显示更多作者
半导体学报, 2004, 25(2), 179-184
2
2
Measurement of Cavity Loss and Quasi-Fermi-Level Separation for Fabry-Perot Semiconductor Lasers
详细信息
Han Chunlin;
Liu Ruixi;
Guo Weihua
Yu Lijuan;
Huang Yongzhen
显示更多作者
半导体学报, 2003, 24(8), 789-793
1
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