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庄婉如, 半导体学报, 1989, 10(12), 960 被引 1 次 

检索结果分布(1)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报（1） 1. 1992（1） 1. 庄婉如 中国科学院半导体研究所（1） 1. 物理学（1）
2. 梅野正义 日本名古屋工业大学（1）
3. 卢励吾 中国科学院半导体研究所（1）

    题名 作者 来源 被引频次
1 MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱和多量子阱激光器深能级研究
详细信息  		卢励吾; 周洁; 庄婉如
显示更多作者 		半导体学报, 1992, 13(3), 155 8
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