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孙殿照, 功能材料与器件学报, 2000, 6(4), 350 被引 3 次 

检索结果分布(3)
来源 年代 作者 学科
1. 半导体学报(2) 1. 2001(2) 1. 刘成海 中国科学院半导体研究所(3) 1. 电子技术、通信技术(3)
2. 材料科学与工艺(1) 2. 2003(1) 2. 曾一平 中国科学院半导体研究所(3)
3. 李晋闽 中国科学院半导体研究所(3)

    题名 作者 来源 被引频次
1 RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料
详细信息 
胡国新; 王晓亮; 孙殿照
显示更多作者
半导体学报, 2003, 24(6), 602-605 4
2 RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料
详细信息 
胡国新; 孙殿照; 王晓亮
显示更多作者
材料科学与工艺, 2001, 9(3), 316 1
3 RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料
详细信息 
孙殿照; 胡国新; 王晓亮
显示更多作者
半导体学报, 2001, 22(11), 1425 3
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