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孙殿照,
功能材料与器件学报, 2000, 6(4), 350 被引 3 次
检索结果分布(3)
来源
年代
作者
学科
1. 半导体学报(2)
1. 2001(2)
1. 刘成海 中国科学院半导体研究所(3)
1. 电子技术、通信技术(3)
2. 材料科学与工艺(1)
2. 2003(1)
2. 曾一平 中国科学院半导体研究所(3)
3. 李晋闽 中国科学院半导体研究所(3)
题名
作者
来源
被引频次
1
RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料
详细信息
胡国新;
王晓亮;
孙殿照
王军喜;
刘宏新;
刘成海;
曾一平;
李晋闽;
林兰英
显示更多作者
半导体学报, 2003, 24(6), 602-605
4
2
RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料
详细信息
胡国新;
孙殿照;
王晓亮
刘宏新;
刘成海;
曾一平;
李晋闽;
林兰英
显示更多作者
材料科学与工艺, 2001, 9(3), 316
1
3
RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料
详细信息
孙殿照;
胡国新;
王晓亮
刘宏新;
刘成海;
曾一平;
李晋闽;
林兰英
显示更多作者
半导体学报, 2001, 22(11), 1425
3
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