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刘远, 物理学报, 2015, 64(7), 078501-1-078501-6 被引 3 次

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来源	年代	作者	学科
1. 物理学报（2）	1. 2020（2）	1. 郭红霞湘潭大学;;工业和信息化部电子第五研究所;;西北核技术研究所（2）	1. 电子技术、通信技术（2）
2. 发光学报（1）	2. 2017（1）	2. 董世剑湘潭大学（2）	2. 机械、仪表工业（1）
		3. 郝蕊静湘潭大学（2）	3. 自动化技术、计算机技术（1）

	题名	作者	来源
1	AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件中子位移损伤效应及机理详细信息	郝蕊静; 郭红霞; 潘霄宇吕玲; 雷志锋; 李波; 钟向丽; 欧阳晓平; 董世剑显示更多作者	物理学报, 2020, 69(20)
2	AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电离辐照损伤机理及偏置相关性研究详细信息	董世剑; 郭红霞; 马武英吕玲; 潘霄宇; 雷志锋; 岳少忠; 郝蕊静; 琚安安; 钟向丽; 欧阳晓平显示更多作者	物理学报, 2020, 69(7)
3	基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现详细信息	荀明珠; 李豫东; 郭旗何承发; 于新; 于钢; 文林; 张兴尧显示更多作者	发光学报, 2017, 38(6), 828-834