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4 篇文献引用了这篇文献
刘新宇,
半导体学报, 2001, 22(12), 1596 被引 4 次
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检索结果分布(4)
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题名
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作者
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来源
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被引频次
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总剂量辐射对硅双极和MOS器件性能的影响
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蔡俊;
傅义珠
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固体电子学研究与进展, 2010, 30(4), 559-563 |
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抗辐照 H型栅 PD SOI NMOSFETs
详细信息
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赵洪辰;
海潮和;
韩郑生
显示更多作者
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功能材料与器件学报, 2005, 11(1), 71-74 |
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3
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Si_3N_4/SiO_2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析
详细信息
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范隆;
郝跃;
严荣良
显示更多作者
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西安电子科技大学学报, 2003, 30(3), 302-305 |
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4
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氮化H_2-O_2合成薄栅介质的击穿特性
详细信息
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刘运龙;
刘新宇;
韩郑生
显示更多作者
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半导体学报, 2002, 23(11), 1207-1210 |
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