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共有 3 篇文献引用了这篇文献
刘文楷, 半导体学报, 2001, 22(9), 1222 被引 3 次 

检索结果分布(3)
来源 年代 作者 学科
1. 功能材料与器件学报（1） 1. 2004（1） 1. 刘文楷 北方工业大学（1） 1. 电子技术、通信技术（3）
2. 中国激光（1） 2. 2012（1） 2. 张露 北京工业大学（1）
3. 半导体学报（1） 3. 2020（1） 3. 马莉 北京工业大学（1）

    题名 作者 来源 被引频次
1 垂直腔面发射激光器中GaAs/AlGaAs的选择性刻蚀技术研究
详细信息  		张秋波; 冯源; 李辉
显示更多作者 		中国激光, 2020, 47(4) 0
2 GaAs材料ICP刻蚀中光刻胶厚度及刻蚀条件对侧壁倾斜度的影响
详细信息  		孙丽媛; 高志远; 张露
显示更多作者 		功能材料与器件学报, 2012, 18(4), 283-290 3
3 三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元
详细信息  		刘文楷; 林世鸣; 安艳伟
显示更多作者 		半导体学报, 2004, 25(10), 1319-1323 0
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