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篇文献引用了这篇文献
王燕,
半导体学报, 2001, 22(5), 599 被引 1 次
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来源
年代
作者
学科
1. 物理学报(1)
1. 2004(1)
1. 林洪峰 兰州大学(1)
1. 物理学(1)
2. 谢二庆 兰州大学(1)
3. 张军 兰州大学(1)
题名
作者
来源
被引频次
1
射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜
详细信息
林洪峰;
谢二庆;
马紫微
张军;
彭爱华;
贺德衍
显示更多作者
物理学报, 2004, 53(8), 2780-2785
5
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